pnp

52.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 3, Транзисторы Мощность, W: 10, 100MHz, TO-126
2SB772 PNP 40В 3А 10Вт 100Мгц TO-126 (SOT-32)
13 шт.
+

15.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 35, Транзисторы Ток, A: 0.05, Транзисторы Мощность, W: 0.15, 250MHz, КТ13
КТ361Г PNP 35V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
8 шт.
+

16.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 45, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 1MHz, TO-126
кт639в PNP 45v 1.5a 1w КТ-126
1 шт.
+

20.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.2, 0.25МГц, КТЮ-3-9
МП25А
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.623 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора МП25А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс
59 шт.
+

13.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.6, Транзисторы Мощность, W: 0.6, 250MHz, TO-92mod, TO-92
2N4403 pnp 40v 0,6a 0.6w 250MHz TO-92 EBC
22 шт.
+

26.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 180, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 140MHz, TO-126
2SB649A pnp 180/160v 1,5a 1w 140MHz TO-126 ECB
22 шт.
+

52.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 300, Транзисторы Ток, A: 0.5, Транзисторы Мощность, W: 20, TO-126
MJE350 (KSE350) pnp 300v 0.5a 20.8w TO-126 (SOT-32)
10 шт.
+

208.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 140, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 100, 20MHz, TO-3PML, TO-3P, TO-3, TO-247
2SA1695 pnp 140v 10a 100w 20MHz TO-3P (MT-100) BCE (ECB)
1 шт.
+

25.00 
0,6, Розничная цена
S9012 (2T1) PNP 40v 0.5a 0.3w SOT-23
104 шт.
+

20.00 
S8550 (2TY) PNP 40v 0.5a 0.3w SOT-23,
smd код - 2TY
87 шт.
+

20.00 
20
MMBT5401 (2L) PNP 150v 0.6a 0.35w SOT-23,
smd код - 2L
13 шт.
+

20.00 
MMBT3906 (2A) PNP 40v 0.2a 0.22w SOT-23,
smd код - 2A
6 шт.
+

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • -40
  • 300
Ток, A

 – 

  • 0
  • 20
Мощность, W

 – 

  • 0
  • 130
Частота,MHz
Корпус