Корзина

Распродажа пультов, скидка на все модели 30% при заказе через сайт.

pnp

Сортировать по времени: новинки выше
16 На страницу
2SA2151A pnp -230v 15a 160w 20MHz TO-3P BCE
600.00 ₽
2SA2151A pnp -230v 15a 160w 20MHz TO-3P BCE
3 шт.
+ −
BCP53-16 PNP 80v 1a 0.3w SOT-223
35.00 ₽
BCP53-16, SOT-223, Биполярный транзистор PNP 80В 1A
20 шт.
+ −
BD140 (КТ814Г) PNP 80В 1.5А 12.5Вт 3Мгц TO-126 ECB
46.00 ₽
BD140 (КТ814Г) PNP 80В 1.5А 12.5Вт 3Мгц TO-126 ECB
198 шт.
+ −
КТ3107Г PNP 25v 0.1a 0.3w 250MHz ТO-92
45.00 ₽
КТ3107Г
PNP 25В/0.1А/0.3Вт f<250МГц, Кус.=120-220
28 шт.
+ −
КТ3107И PNP 50v 0.1a 0.3w 200MHz ТO-92
45.00 ₽
PNP 50В 0,1А 0,3Вт 200 МГц Кус=180-460
30 шт.
+ −
2SA1020 pnp 50v 2a 0.9w 100MHz TO-92MOD ECB (BCE)
25.00 ₽
2SA1020 pnp 50v 2a 0.9w 100MHz TO-92MOD ECB (BCE)
25 шт.
+ −
КТ3129В9 (ВС858А) (1B) PNP 30v 0.1a 0.075w 200MHz KT-46 (SOT-23) smd BCE
КТ3129В9 (ВС858А) (1B) PNP 30v 0.1a 0.075w 200MHz KT-46 (SOT-23) smd BCE
30.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 30, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.075, SOT-23
Транзисторы КТ3129В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях,
генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А.
3 шт.
+ −
SS8550 PNP -40v 1,5a 1w 200MHz TO-92 EBC
SS8550 PNP -40v 1,5a 1w 200MHz TO-92 EBC
20.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: -40, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 200MHz, TO-92
SS8550 PNP -40v 1,5a 1w 200MHz TO-92 EBC
79 шт.
+ −
КТ361В PNP 40V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
30.00 ₽
КТ361В PNP 40V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
100 шт.
+ −
MJE2955T (КТ818А) pnp 60v 10a 75w 2MHz TO-220 BCE (ECB)
64.00 ₽
MJE2955T pnp 60v 10a 75w 2MHz TO-220 BCE (ECB)
Комплементарная пара с NPN MJE3055T
Аналог КТ818А
10 шт.
+ −
SS8550 (Y2) PNP 40v 1.5a 0.3w SOT-23
25.00 ₽
SS8550 (Y2) PNP 40v 1.5a 0.3w SOT-23
Комплементарная пара с NPN SS8050 (Y1)
92 шт.
+ −
BD138 (КТ814В) PNP 65В 1.5А 25Вт 3Мгц TO-126 ECB
46.00 ₽
BD138 (КТ814В) PNP 65В 1.5А 25Вт 3Мгц TO-126 ECB
3 шт.
+ −
2SB772 PNP 40В 3А 10Вт 100Мгц TO-126 (SOT-32)
2SB772 PNP 40В 3А 10Вт 100Мгц TO-126 (SOT-32)
52.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 3, Транзисторы Мощность, W: 10, 100MHz, TO-126
2SB772 PNP 40В 3А 10Вт 100Мгц TO-126 (SOT-32)
13 шт.
+ −
КТ361Г PNP 35V 0,05A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
КТ361Г PNP 35V 0,05A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
15.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 35, Транзисторы Ток, A: 0.05, Транзисторы Мощность, W: 0.15, 250MHz, КТ13
КТ361Г PNP 35V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
8 шт.
+ −
кт639в PNP 45v 1.5a 1w КТ-126
16.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 45, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 1MHz, TO-126
кт639в PNP 45v 1.5a 1w КТ-126
1 шт.
+ −
МП25А PNP 40В 0.15А 0.2Вт 0.25Мгц КТЮ-3-6
20.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.2, 0.25МГц, КТЮ-3-9
МП25А
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.623 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора МП25А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс
59 шт.
+ −
 Назад
1 2 3 4 5
Вперед 

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • -40
  • 300
Ток, A

 – 

  • 0
  • 20
Мощность, W

 – 

  • 0
  • 130
Частота,MHz
Корпус