Транзисторы

94.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 220, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 29, TO-220F
SMK0825F N-Channel+d 220v 8a 29w 0.43ohm TO-220F
20 шт.
+

35.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 200, Транзисторы Ток, A: 9, Транзисторы Мощность, W: 45, Нет данных, TO-252 (D-Pak)

SMK630D N-Channel+d 200v 9a 45w TO-252 (D-PAK)

10 шт.
+

38.00 
n,p-chanel+d-st, Транзисторы Напряжение, V: 30, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 2, Нет данных, SO-8 (SOP-8)
SP8M3 (n,p-ch+d-st) 30v 5/4,4a 2w SOP-8
2 шт.
+

258.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 600, Транзисторы Ток, A: 34, Транзисторы Мощность, W: 313, TO-3PF, TO-3PML, TO-3P, TO-247
SPW35N60CFD N-Channel+d 600v 34a 313w TO-247
1 шт.
+

25.00 
Комплементарная пара c PNP SS8550
74 шт.
+

20.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 200MHz, TO-92
SS8050 NPN -40v 1,5a 1w 200MHz TO-92 EBC
73 шт.
+

25.00 
SS8550 (Y2) PNP 40v 1.5a 0.3w SOT-23
Комплементарная пара с NPN SS8050 (Y1)
92 шт.
+

20.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: -40, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 200MHz, TO-92
SS8550 PNP -40v 1,5a 1w 200MHz TO-92 EBC
79 шт.
+

13.00 
0,8, 10, Розничная цена
SS9012 PNP 40v 0,5a 0,625w TO-92
158 шт.
+

13.00 
0,8, 10, Розничная цена, npn, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.5, Транзисторы Мощность, W: 0.625, TO-92
SS9013 NPN 40/20v 0,5a 0,625w TO-92
212 шт.
+

13.00 
0,8, 10, Розничная цена, npn, Транзисторы Напряжение, V: 50, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.45, TO-92
SS9014 NPN 50v 0,1a 0,45w TO-92
85 шт.
+

7.00 
SS9015 PNP 50/45v 0,1a 0,45w TO-92
40 шт.
+

72.00 
npn+d+r, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 40, TO-220F
ST1803DFH NPN+d+r 1500/600v 10a 40w TO-220FH
9 шт.
+

99.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 55, TO-3PF
ST2001HI NPN 1500/600v 10a 55w TO-3PF
2 шт.
+

700.00 
Сборка из полевых транзисторов, 4xN-канал, 50В 3А 4Вт
1 шт.
+

242.00 
N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220FP,
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
5 шт.
+

59.00 
N-Channel+d-st, Транзисторы Напряжение, V: 650, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 90, TO-220, TO-220ML, TO-220AB
STP5NK60Z N-Channel+d-st 650v 5a 90w TO-220
18 шт.
+

195.00 
N-Channel+d-st, Транзисторы Напряжение, V: 800, Транзисторы Ток, A: 9, Транзисторы Мощность, W: 160, TO-3PF, TO-3P, TO-247, TO-3PML
N-Channel+d-st 800v 9a 160w TO-247
2 шт.
+

50.00 
2NPN+d+2r, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 2, Транзисторы Мощность, W: 100, Нет данных, TO-92
STX112 2NPN+d+2r 100/100v 2a 102w TO-92
5 шт.
+

273.00 
N-Channel+d
TCM80A N-Channel+d 6a 600v 75w TO-220AB
1 шт.
+

73.00 
2NPN+d+2r, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 80, 100kHz, TO-220ML, TO-220AB, TO-220
TIP102 2NPN+d+2r 100/100v 8a 80w 0,1MHz TO-220
(комплементарная пара TIP107)
7 шт.
+

102.00 
2pnp+d+2r, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 80, 100kHz, TO-220AB, TO-220
2PNP+d+2r 100/100v 8a 80w 0,1MHz TO-220
(комплементарная пара TIP102)
8 шт.
+

45.00 
2NPN+d+2r, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 2, Транзисторы Мощность, W: 80, 100kHz, TO-220AB, TO-220
2NPN+d+2r 100/100v 2a 80w 0,1MHz TO-220
4 шт.
+

40.00 
2NPN+d+2r, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 65, 100kHz, TO-220AB, TO-220
2NPN+d+2r 100/100v 5a 65w 0,1MHz TO-220
6 шт.
+

26.00 
2pnp+d+2r, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 65, Нет данных, TO-220AB, TO-220
TIP127 2PNP+d+2r 100v 5a 65w TO-220
7 шт.
+

29.00 
2pnp+d+2r, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 15, Транзисторы Мощность, W: 90, TO-247, TO-3PML, TO-3P, TO-3
TIP147T  2PNP+d+2r 100v 15a 90w TO-220
14 шт.
+

240.00 
TIP147  2PNP+d+2r 100v 10a 90w TO-247
5 шт.
+

25.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 3, Транзисторы Мощность, W: 40, 3MHz, TO-220AB, TO-220, TO-220ML
NPN 100/100v 3a 40w 3MHz TO-220
6 шт.
+

195.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 25, Транзисторы Мощность, W: 125, 1MHz, TO-247
NPN 100/100v 25a 125w 1MHz TO-247
7 шт.
+

145.00 
PNP 100/100v 25a 125w 1MHz TO-247
5 шт.
+

47.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 6, Транзисторы Мощность, W: 65, 3MHz, TO-220AB, TO-220, TO-220ML
TIP41C NPN 100/100v 6a 65w 3MHz TO-220 BCE (ECB)
38 шт.
+

47.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 100/100, Транзисторы Ток, A: 6, Транзисторы Мощность, W: 65, 3MHz, TO-220
Транзистор TIP42C PNP 100/100v 6a 65w 3MHz TO-220
116 шт.
+

46.00 
P-Channel+d-st, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 0.185, Транзисторы Мощность, W: 0.35, SOT-23
TP0610K P-Channel+d-st 60v 0.185a 0.35w TO-236 (SOT-23)
SMD код - 6kwba
5 шт.
+

125.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 1700, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 65, TO-3PML, TO-3P, TO-247
TT2076 NPN 1700/800v 8a 65w TO-3PMLH
2 шт.
+

69.00 
npn+d+r, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 3.5, TO-220F
Транзистор TT2138 NPN+d+r 1500/800v 3,5a 25w Tf<300nS TO-220F
1 шт.
+

93.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 65, TO-3PML, TO-3P, TO-247
TT2142 NPN 1500/800v 8a 65w TO-3PMLH
1 шт.
+

71.00 
npn+d+r, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 5, TO-220F
TT2170 NPN+d+r 1500/800v 5a 25w Tf<300nS TO-220F
2 шт.
+

73.00 
npn+d+r, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 35, TO-220F
TT2190 NPN+d+r 1500/800v 8a 35w Tf<300nS TO-220F
2 шт.
+

59.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 1600, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 65, TO-3PML, TO-3P, TO-247
TT2206 NPN 1600/800v 10a 65w 300MHz TO-3PML
7 шт.
+

65.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 65, TO-220F
TT2222 NPN 1500/800v 8a 65w TO-220F
5 шт.
+

71.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 50, TO-220F
TT2246 NPN 1500/700v 10a 50w TO-220F
5 шт.
+

37.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 50, Транзисторы Ток, A: 0.5, SOP-16
ULN2003A 7xNPN Darl 50V, 0.5A SOP-16
(TD62003) KID65003AP
29 шт.
+

71.00 
ULN2003A 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
14 шт.
+

71.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 50, Транзисторы Ток, A: 0.5, DIP-16
ULN2003A 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
9 шт.
+

45.00 
ULN2004ADR 7xNPN Darl 50V, 0.5A (SO-16)
18 шт.
+

72.00 
ULN2004AN 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
19 шт.
+

80.00 
ULN2803A 8xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-18)
9 шт.
+

60.00 
ULN2803AG 8xNPN Darl 50V, 0.5A (SO-18)
10 шт.
+

78.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 3.5, Транзисторы Мощность, W: 15, TO-3
гт705б npn 50-100v 3.5a 15w 0.01MHz
5 шт.
+

247.00 
npn
Представляет собой матрицу n-p-n транзисторов.
7 шт.
+

30.00 
КП302А1 N-channel 200v 2a 0.5w TO-92
10 шт.
+

90.00 
N-Channel, Транзисторы Напряжение, V: 25, Транзисторы Ток, A: 0.02, Транзисторы Мощность, W: 0.2, кт-112
КП303А N-channel 25v 0,02a 0,2w KT-112
26 шт.
+

13.00 
N-Channel, Транзисторы Напряжение, V: 18, Транзисторы Ток, A: 0.01, Нет данных, кт-29
КП327А n-channel 10v 0.01a
62 шт.
+

25.00 
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в
аппаратуре средств связи, телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре,
изготавливаемой для народного хозяйства
Зарубежный прототип
• прототип ZVN2120
Нет в наличии

124.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 650, Транзисторы Ток, A: 3.3, Транзисторы Мощность, W: 75, TO-220ML, TO-220AB, TO-220
кп728с1 N-Channel+d 650v 3.3a 75w TO-220
4 шт.
+

39.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 5.6, Транзисторы Мощность, W: 43, TO-220ML, TO-220AB, TO-220
Транзистор кп743а N-Channel+d 100v 5.6a 43w TO-220
6 шт.
+

325.00 
N-Channel, Транзисторы Напряжение, V: 150, Транзисторы Ток, A: 30, Транзисторы Мощность, W: 70, Нет данных, TO-218
КП958А N-channel 150v 30a 70w ТО-218 (КТ-43-2)
3 шт.
+

17.00 
npn, DIP-14
кр198нт9 представляет собой матрицу NPN транзисторов dip-14
2 шт.
+

45.00 
КТ3107Г
PNP 25В/0.1А/0.3Вт f<250МГц, Кус.=120-220
28 шт.
+

45.00 
PNP 50В 0,1А 0,3Вт 200 МГц Кус=180-460
30 шт.
+

4.00 
Транзистор кт3126а pnp 30v 0.02a 0.015w h21э>25 500MHz ТO-92
59 шт.
+

4.00 
Транзистор кт3126б pnp 30v 0.02a 0.015w h21э>60 500MHz ТO-92
46 шт.
+

42.00 
Транзистор кт3127а СВЧ малой мощности КТ1-12 (ТО-72)
8 шт.
+

30.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 30, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.075, SOT-23
Транзисторы КТ3129В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях,
генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А.
3 шт.
+

15.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 25, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.15, 250MHz, КТ13
КТ315А NPN 25V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
205 шт.
+

4.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 30, Транзисторы Ток, A: 0.05, Транзисторы Мощность, W: 0.25, TO-92
КТ342АМ npn 30v 0,05a 0,25w (h21 100-250) to-92
86 шт.
+

4.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 25, Транзисторы Ток, A: 0.05, Транзисторы Мощность, W: 0.25, TO-92
КТ342БМ npn 25v 0,05a 0,25w (h21 200-500) to-92
86 шт.
+

4.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 10, Транзисторы Ток, A: 0.05, Транзисторы Мощность, W: 0.25, TO-92
КТ342ВМ NPN 10v 0,05a 0,25w TO-92
89 шт.
+

30.00 
КТ361В PNP 40V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
100 шт.
+

15.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 35, Транзисторы Ток, A: 0.05, Транзисторы Мощность, W: 0.15, 250MHz, КТ13
КТ361Г PNP 35V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
8 шт.
+

10.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 15, Транзисторы Ток, A: 0.03, Транзисторы Мощность, W: 0.22, 900MHz, TO-92
КТ368АМ NPN 15v 0,03a 0,225w 900MHz TO-92
26 шт.
+

10.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 15, Транзисторы Ток, A: 0.03, Транзисторы Мощность, W: 0.22, 900MHz, TO-92
КТ368БМ NPN 15v 0,03a 0,225w 900MHz TO-92
10 шт.
+

4.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.35, 350MHz, TO-92
Транзистор кт503а npn 40v 0.15 0.35w h21э>40 350MHz TO-92
46 шт.
+

4.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.35, 350MHz, TO-92
Транзистор кт503г npn 60v 0.15 0.35w h21э>80 350MHz TO-92
20 шт.
+

4.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 80, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.35, 350MHz, TO-92
Транзистор кт503г npn 80v 0.15a 0.35w h21э>40 350MHz TO-92
6 шт.
+

8.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 120, Транзисторы Ток, A: 0.07, Транзисторы Мощность, W: 0.85, 150MHz, TO-126
Транзистор кт602бм npn 120v 0.075a 0.85w h21э>50 150MHz TO-126
6 шт.
+

13.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 45, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 80MHz, TO-126
Транзистор кт639а npn 45v 1.5a 1w 80MHz КТ-126
2 шт.
+

16.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 45, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 1MHz, TO-126
кт639в PNP 45v 1.5a 1w КТ-126
1 шт.
+

13.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 150, Транзисторы Ток, A: 1, 50MHz, TO-126
Транзистор кт683а npn 150v 1a 50MHz TO-126
2 шт.
+

13.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 80, Транзисторы Ток, A: 2, Транзисторы Мощность, W: 5, 10MHz, КТЮ-3-9
кт801а NPN 80v 2a 5w 10МГц КТЮ-3-9
7 шт.
+

13.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 2, Транзисторы Мощность, W: 5, 10MHz, КТЮ-3-9
кт801б NPN 60v 2a 5w 10МГц КТЮ-3-9
8 шт.
+

134.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 20, 20MHz, TO-220AB, TO-220, TO-220ML
КТ805АМ NPN 60v 5a 20w 20MHz TO-220 ECB
6 шт.
+

364.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 200, Транзисторы Ток, A: 16, Транзисторы Мощность, W: 150, 10MHz, КТ-43
Транзистор кт8101а npn 200v 16a 150w 10MHz кт-43
2 шт.
+

91.00 
Транзистор кт8102б pnp 120v 16a 150w 10MHz кт-43
1 шт.
+

86.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 90, Транзисторы Ток, A: 15, Транзисторы Мощность, W: 100, 3MHz, TO-3
КТ818ГМ PNP 90В 15А 100Вт 3Мгц TO-3
10 шт.
+

125.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 60, 3MHz, TO-220ML, TO-220AB, TO-220
КТ819Г NPN 100В 10А 60Вт 3Мгц TO-220
9 шт.
+

170.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 350, Транзисторы Ток, A: 15, Транзисторы Мощность, W: 65, TO-247, TO-3PML, TO-3P
кт8231а2 NPN 350/500v 15a 65w TO-247
1 шт.
+

450.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 90, Транзисторы Ток, A: 20, Транзисторы Мощность, W: 125, 4MHz, TO-3
КТ825Г PNP 90В 20А 125Вт 4Мгц TO-3
(10шт-место в общей коробке)
14 шт.
+

150.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 400, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 40, 5MHz, TO-3PML, TO-3P, TO-3, TO-247
Основные технические характеристики транзистора КТ845А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4,5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0.01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 45 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 4000 нс
8 шт.
+

111.00 
2npn+d+2r-st, Транзисторы Напряжение, V: 350, Транзисторы Ток, A: 20, Транзисторы Мощность, W: 125, 10MHz, TO-218
Транзистор кт898а

аналог BU931ZP

2npn+d+2r-st 350v 20/30a 125w 10MHz TO-218
6 шт.
+

585.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 50, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 75, 400MHz, TO-126
кт930б npn 50v 10a 75w 400MHz TO-126
2 шт.
+

15.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 300, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 1.2, 90MHz, TO-126
Транзистор кт940а npn 300v 0.1a 1.2w 90MHz to-126
103 шт.
+

88.00 
кт972а NPN 60v 2a 8w 50MHz ТО-126
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения.
Зарубежный прототип
• Прототип – BD875
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 45 до + 85°C
• Комплиментарная пара – КТ973
Нет в наличии

20.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.2, 0.25МГц, КТЮ-3-9
МП25А
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.623 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора МП25А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс
59 шт.
+

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • -55
  • 1700
Ток, A

 – 

  • -74
  • 210
Мощность, W

 – 

  • 0
  • 2000
Частота,MHz
Корпус