Транзисторы

88.00 
2(P-Channel+d), Транзисторы Напряжение, V: -30, Транзисторы Ток, A: 7.1, Транзисторы Мощность, W: 2, SO-8 (SOP-8)
4925B Si4925BDY 2(P-Channel+d) -30v 7,1a 2w 0,02Ohm SO-10
20 шт.
+

219.00 
P-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: -55, Транзисторы Ток, A: -74, Транзисторы Мощность, W: 200, TO-220, TO-220ML, TO-220AB
IRF4905 P-Channel+d -55v -74a 200w 0.02Ohm TO-220AB
7 шт.
+

88.00 
кт972а NPN 60v 2a 8w 50MHz ТО-126
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения.
Зарубежный прототип
• Прототип – BD875
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 45 до + 85°C
• Комплиментарная пара – КТ973
Нет в наличии

104.00 
AO4606 (N-channel-d 30v 6.9a) + (P-Channel-d -30v 6a) SOP-8
8 шт.
+

130.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 200, Транзисторы Ток, A: 31, Транзисторы Мощность, W: 200, TO-263 (D2-PAK)
IRFS31N20D N-Channel+d 200v 31a 200w 0.082ohm TO-263 (D2-PAK)
20 шт.
+

143.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 200, Транзисторы Ток, A: 31, Транзисторы Мощность, W: 200, TO-220, TO-220ML, TO-220AB
IRFB31N20D N-Channel+d 200v 31a 200w 0.082ohm TO-220
10 шт.
+

94.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 220, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 29, TO-220F
SMK0825F N-Channel+d 220v 8a 29w 0.43ohm TO-220F
20 шт.
+

123.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 220, Транзисторы Ток, A: 8, Транзисторы Мощность, W: 29, TO-263 (D2-PAK)
SMK0825D2 N-Channel+d 220v 8a 29w 0.43ohm TO-263 (D2-PAK)
20 шт.
+

143.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 75, Транзисторы Мощность, W: 100, TO-220ML, TO-220, TO-220AB
2SK3069 N-Channel+d 60v 75a 100w 0.006ohm TO-220
18 шт.
+

124.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 80, Транзисторы Ток, A: 100, Транзисторы Мощность, W: 208, TO-220, TO-220ML, TO-220AB
S80N10R N-Channel+d 80v 100a 208w 0,0058ohm (TO-220)
15 шт.
+

91.00 
n,p-chanel+d, Транзисторы Напряжение, V: 200, Транзисторы Ток, A: 18, Транзисторы Мощность, W: 89, TO-252 (D-Pak)
18N20GH AP18N20GH N-Channel+d 200v 18a 89w 170mOhm TO-252 (D-PAK)
17 шт.
+

78.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 200, Транзисторы Ток, A: 18, Транзисторы Мощность, W: 89, TO-263 (D2-PAK)
18N20GS AP18N20GS N-Channel+d 200v 18a 89w 170mOhm TO-263 (D2-PAK)
20 шт.
+

59.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 30, Транзисторы Ток, A: 13, Транзисторы Мощность, W: 2, SO-8 (SOP-8)
IRF7805PBF N-Channel+d 30v 13a 2w 11mOhm SO-8
16 шт.
+

137.00 
P-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 45, Транзисторы Мощность, W: 54, TO-251AA (I-Pak)
AP9561GJ P-Channel+d 40v 45a 54w 16mΩ TO-251 (I-Pak)
3 шт.
+

362.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 55, Транзисторы Ток, A: 81, Транзисторы Мощность, W: 170, TO-3P, TO-3, TO-247, TO-3PML
IRFP054N 55v 81a 170w R=12mOhm TO-247 (TO-3)
2 шт.
+

20.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 45, Транзисторы Ток, A: 0.8, Транзисторы Мощность, W: 0.31, 100MHz, SOT-23
BC817-40 (6C) NPN 45v 0,8a 0,31w 100MHz SOT-23 smd BCE
70 шт.
+

150.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 68, Транзисторы Ток, A: 98, TO-220AB, TO-220, TO-220ML
80NF70 STP80NF70 N-Channel+d 68V 98A 0.0082Ohm TO-222
9 шт.
+

364.00 
P-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 200, Транзисторы Ток, A: 12, Транзисторы Мощность, W: 150, TO-247, TO-3PML, TO-3P, TO-3
IRFP9240 P-Channel+d 200v 12a 150w TO-247АС
10 шт.
+

65.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 750, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 40, TO-252 (D-Pak)
70R900 MMD70R900P N-Channel+d 750v 5a 40w 0.9ohm TO-252 (D-PAK)
15 шт.
+

192.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 80, Транзисторы Ток, A: 120, Транзисторы Мощность, W: 220, TO-220, TO-220ML, TO-220AB
NCE80H12 N-Channel+d 80v 120a 220w 0.006ohm TO-220
1 шт.
+

65.00 
N-Channel+d-st, Транзисторы Напряжение, V: 700, Транзисторы Ток, A: 12.8, Транзисторы Мощность, W: 30, TO-252 (D-Pak)
70S900P7 IPD70R900P7S N-Channel+d-st 700v 12.8a 30w 0.6ohm TO-252 (D-PAK)
29 шт.
+

200.00 
IGBT N-Channel, Транзисторы Напряжение, V: 360, Транзисторы Ток, A: 35, Транзисторы Мощность, W: 25, TO-220F
RJP30E2 IGBT N-Channel 360v 35a 25w TO-220F
6 шт.
+

46.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 35, Транзисторы Мощность, W: 70, TO-252 (D-Pak)
STD30NF06LAG
D30NF06L N-Channel+d 60v 35a 70w 0.022ohm TO-252 (D-PAK)
28 шт.
+

150.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 400, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 40, 5MHz, TO-3PML, TO-3P, TO-3, TO-247
Основные технические характеристики транзистора КТ845А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4,5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0.01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 45 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 4000 нс
8 шт.
+

125.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 60, 3MHz, TO-220ML, TO-220AB, TO-220
КТ819Г NPN 100В 10А 60Вт 3Мгц TO-220
9 шт.
+

16.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 45, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 1MHz, TO-126
кт639в PNP 45v 1.5a 1w КТ-126
1 шт.
+

20.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.2, 0.25МГц, КТЮ-3-9
МП25А
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.623 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора МП25А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс
59 шт.
+

15.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 25, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.15, 250MHz, КТ13
КТ315А NPN 25V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
205 шт.
+

13.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.6, Транзисторы Мощность, W: 0.6, 250MHz, TO-92mod, TO-92
2N4401 npn 40v 0,6a 0.6w 250MHz TO-92 EBC
23 шт.
+

13.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.6, Транзисторы Мощность, W: 0.6, 250MHz, TO-92mod, TO-92
2N4403 pnp 40v 0,6a 0.6w 250MHz TO-92 EBC
22 шт.
+

97.00 
29,6, 74, Розничная цена, P-Channel+d-st, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 14, Транзисторы Мощность, W: 35, TO-220F
2SJ303 P-Channel+d-st 60v 14a 35w TO-220F
10 шт.
+

20.00 
2,3, 15, Розничная цена, N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 0.2, Транзисторы Мощность, W: 0.35, TO-92mod, TO-92
2N7000 N-Channel+d 60v 0.2a 0.35w TO-92 SGD
69 шт.
+

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • -55
  • 1700
Ток, A

 – 

  • -74
  • 210
Мощность, W

 – 

  • 0
  • 2000
Частота,MHz
Корпус