Корзина

Распродажа пультов, скидка на все модели 30% при заказе через сайт.

npn

Сортировать по времени: новинки выше
12 На страницу
BD139 (КТ815Г) NPN 100В 1.5А 25Вт 3Мгц TO-126
46.00 ₽
BD139 (КТ815Г) NPN 100В 1.5А 25Вт 3Мгц TO-126
199 шт.
+ −
ULN2004AN 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
72.00 ₽
ULN2004AN 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
19 шт.
+ −
ULN2004ADR 7xNPN Darl 50V, 0.5A (SO-16)
45.00 ₽
ULN2004ADR 7xNPN Darl 50V, 0.5A (SO-16)
18 шт.
+ −
кт972а (BD875) NPN 60v 2a 8w 50MHz ТО-126 ECB
88.00 ₽
кт972а NPN 60v 2a 8w 50MHz ТО-126
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения.
Зарубежный прототип
• Прототип – BD875
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 45 до + 85°C
• Комплиментарная пара – КТ973
Нет в наличии
BC817-40 (6C) NPN 45v 0,8a 0,31w 100MHz SOT-23 smd BCE
20.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 45, Транзисторы Ток, A: 0.8, Транзисторы Мощность, W: 0.31, 100MHz, SOT-23
BC817-40 (6C) NPN 45v 0,8a 0,31w 100MHz SOT-23 smd BCE
70 шт.
+ −
кт845а NPN 400v 5a 40w 5MHz КТ-9 (ТО-3)
150.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 400, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 40, 5MHz, TO-3PML, TO-3P, TO-3, TO-247
Основные технические характеристики транзистора КТ845А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4,5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0.01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 45 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 4000 нс
8 шт.
+ −
КТ819Г NPN 100В 10А 60Вт 3Мгц TO-220
125.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 60, 3MHz, TO-220ML, TO-220AB, TO-220
КТ819Г NPN 100В 10А 60Вт 3Мгц TO-220
9 шт.
+ −
КТ315А NPN 25V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
15.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 25, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.15, 250MHz, КТ13
КТ315А NPN 25V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
205 шт.
+ −
2N4401 npn 40v 0,6a 0.6w 250MHz TO-92 EBC
2N4401 npn 40v 0,6a 0.6w 250MHz TO-92 EBC
13.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.6, Транзисторы Мощность, W: 0.6, 250MHz, TO-92mod, TO-92
2N4401 npn 40v 0,6a 0.6w 250MHz TO-92 EBC
23 шт.
+ −
2N5551 NPN 180v 0,6a 0,45w TO-92 EBC
2N5551 NPN 180v 0,6a 0,45w TO-92 EBC
13.00 ₽
0,8, 10, Розничная цена, npn, Транзисторы Напряжение, V: 160, Транзисторы Ток, A: 0.6, Транзисторы Мощность, W: 0.45, TO-92mod, TO-92
2N5551 NPN 180v 0,6a 0,45w TO-92 EBC
75 шт.
+ −
BD911 NPN 100v 15a 90w 3MHz TO-220
BD911 NPN 100v 15a 90w 3MHz TO-220
43.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 15, Транзисторы Мощность, W: 90, 3MHz, TO-220AB, TO-220, TO-220ML
BD911 NPN 100v 15a 90w 3MHz TO-220
(комплементарная пара для BD912)
14 шт.
+ −
ULN2003A 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
ULN2003A 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
71.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 50, Транзисторы Ток, A: 0.5, DIP-16
ULN2003A 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
9 шт.
+ −
 Назад
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Вперед  3 - 14

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • 10
  • 1700
Ток, A

 – 

  • 0
  • 20
Мощность, W

 – 

  • 0.1
  • 2000
Частота,MHz
Корпус