npn

12.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.25, 250MHz, TO-92mod, TO-92
2SC945 npn 60/50v 0,1a 0,25w 250MHz TO-92
1097 шт.
+

4.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 80, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.35, 350MHz, TO-92
Транзистор кт503г npn 80v 0.15a 0.35w h21э>40 350MHz TO-92
6 шт.
+

51.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 500, Транзисторы Ток, A: 4, 20MHz, TO-220ML
Транзистор 2SC4160 npn 500/400v 4a 25w 20MHz TO-220ML
6 шт.
+

146.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 1500, Транзисторы Ток, A: 12, Транзисторы Мощность, W: 45, TO-218
BU2525AF NPN 1500/800v 12a 45w TO-218F
8 шт.
+

71.00 
ULN2003A 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
14 шт.
+

20.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 80, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.25, 100MHz, SOT-23
BC846B NPN 80/65v 0,1a 0,25w 100MHz SOT-23
smd code - 1B
85 шт.
+

45.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 32, Транзисторы Ток, A: 4, Транзисторы Мощность, W: 36, 3MHz, TO-126
BD435 NPN 32v 4a 36w 3MHz TO-126
20 шт.
+

32.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 30, Транзисторы Ток, A: 0.3, 250MHz, TO-92, TO-92mod, SPA
2SC3576 npn 30/25v 0,3a 0,3w 250MHz SPA
9 шт.
+

123.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 900, Транзисторы Ток, A: 2, Транзисторы Мощность, W: 30, TO-220F
2SC4804 npn 900/600v 2a 30w Tf<300nS TO-220F
5 шт.
+

20.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 0.2, Транзисторы Мощность, W: 0.2, SOT-23
MMBT3904 (1AM) NPN 60v 0.2a 0.2w SOT-23,
smd код - 1AM
51 шт.
+

150.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 400, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 40, 5MHz, TO-3PML, TO-3P, TO-3, TO-247
Основные технические характеристики транзистора КТ845А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4,5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0.01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 45 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 4000 нс
8 шт.
+

13.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.6, Транзисторы Мощность, W: 0.6, 250MHz, TO-92mod, TO-92
2N4401 npn 40v 0,6a 0.6w 250MHz TO-92 EBC
23 шт.
+

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • 10
  • 1700
Ток, A

 – 

  • 0
  • 20
Мощность, W

 – 

  • 0.1
  • 2000
Частота,MHz
Корпус