Транзисторы

600.00 
2SA2151A pnp -230v 15a 160w 20MHz TO-3P BCE
3 шт.
+

600.00 
2SC6011A npn 230v 15a 160w 20MHz TO-3P BCE
3 шт.
+

185.00 
17NF25 STD17NF25 N-Channel+d 250v 17a 90w 0.14ohm TO-252 (D-PAK)
8 шт.
+

30.00 
AO3407 P-Channel+d 30V 4.1A 1.4W SOT-23
16 шт.
+

55.00 
IRFR3709Z N-Channel+d 30v 86a 79w TO-252AA (D-Pak)
6 шт.
+

140.00 
2SK3568 N-Channel+d-st 500v 12a 40w TO-220F
5 шт.
+

70.00 
AO4423 P-Channel+d-st -30V -17A 2W SOIC-8 (SO-8)
5 шт.
+

75.00 
AO4429 P-Channel+d-st -30V -15A 3.1W SOIC-8 (SO-8)
5 шт.
+

35.00 
2SC2383 npn 160v 1a 0.9w 100MHz TO-92mod ECB (BCE)
Complementary to 2SA1013
10 шт.
+

25.00 
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в
аппаратуре средств связи, телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре,
изготавливаемой для народного хозяйства
Зарубежный прототип
• прототип ZVN2120
Нет в наличии

35.00 
BCP53-16, SOT-223, Биполярный транзистор PNP 80В 1A
20 шт.
+

134.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 20, 20MHz, TO-220AB, TO-220, TO-220ML
КТ805АМ NPN 60v 5a 20w 20MHz TO-220 ECB
6 шт.
+

53.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 50, TO-252 (D-Pak)
50N06 N-Channel+d 60V 50A TO-252 DPAK
15 шт.
+

176.00 
IRF3205S N-Channel+d 55v 110a 170w TO-263 (D-PAK)
3 шт.
+

132.00 
60NF06 STP60NF06FP N-Channel+d 60v 50a 110w TO-220F
4 шт.
+

240.00 
TIP147  2PNP+d+2r 100v 10a 90w TO-247
5 шт.
+

30.00 
КП302А1 N-channel 200v 2a 0.5w TO-92
10 шт.
+

46.00 
BD140 (КТ814Г) PNP 80В 1.5А 12.5Вт 3Мгц TO-126 ECB
198 шт.
+

123.00 
BDW94C 2PNP+d+2r 100/100v 12a 80w TO-220 BCE
Комплементарная пара с BDW93C
4 шт.
+

45.00 
КТ3107Г
PNP 25В/0.1А/0.3Вт f<250МГц, Кус.=120-220
28 шт.
+

45.00 
PNP 50В 0,1А 0,3Вт 200 МГц Кус=180-460
30 шт.
+

882.00 
IGBT N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 1600, Транзисторы Ток, A: 30, Транзисторы Мощность, W: 263, TO-247
30N160 IHW30N160R5 (H30SR5) IGBT N-Channel+d 1600V 30A 263W (TO-247-3)
1 шт.
+

242.00 
N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220FP,
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
5 шт.
+

120.00 
4NK80 STP4NK80ZFP N-Channel+d 800V 3A 25W TO-220F
10 шт.
+

183.00 
2N3773 npn 140v 16a 150w TO-204
4 шт.
+

700.00 
Сборка из полевых транзисторов, 4xN-канал, 50В 3А 4Вт
1 шт.
+

200.00 
2SC2625 npn 450V 10А 80Вт (TO-3P) BCE
4 шт.
+

200.00 
ISL9V3040S3S IGBT N-Channel-2st 430V 17A 150W (TO-263, D2-PAK)
10 шт.
+

27.00 
FS8205A TSSOP-8
18 шт.
+

60.00 
ULN2803AG 8xNPN Darl 50V, 0.5A (SO-18)
10 шт.
+

25.00 
2SA1020 pnp 50v 2a 0.9w 100MHz TO-92MOD ECB (BCE)
25 шт.
+

153.00 
AP4525GEH (n,p-ch+d-st) 40/-40v 8.3/-7a TO-252-4L
5 шт.
+

80.00 
ULN2803A 8xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-18)
9 шт.
+

35.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 30, Транзисторы Ток, A: 5.8, Транзисторы Мощность, W: 1.4, SOT-23
AO3400 N-Channel+d 30V 5.8A 1.4W SOT-23
45 шт.
+

60.00 
MJE13007 NPN 400v 8a 80w 14MHz TO-220AB BCE
с диодом
37 шт.
+

152.00 
P-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: -30, Транзисторы Ток, A: 16, Транзисторы Мощность, W: 2.5, SO-8 (SOP-8)
IRF9317TR P-Channel+d -30v 16a 2.5w SO-8
10 шт.
+

30.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 30, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.075, SOT-23
Транзисторы КТ3129В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях,
генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А.
3 шт.
+

145.00 
N-Channel+d-st, Транзисторы Напряжение, V: 700, Транзисторы Ток, A: 20.5, Транзисторы Мощность, W: 43, TO-252 (D-Pak)
70S600P7 IPD70R600P7S N-Channel+d-st 700v 20.5a 43w 0.6ohm TO-252 (D-PAK)
4 шт.
+

70.00 
n,p-chanel+d, Транзисторы Напряжение, V: 40/-40, Транзисторы Ток, A: 6/5, SO-8 (SOP-8)
AO4614 (N-channel-d 40v 6a) + (P-Channel-d -40v 5a) SOP-8
10 шт.
+

20.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: -40, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 200MHz, TO-92
SS8550 PNP -40v 1,5a 1w 200MHz TO-92 EBC
79 шт.
+

20.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 1.5, Транзисторы Мощность, W: 1, 200MHz, TO-92
SS8050 NPN -40v 1,5a 1w 200MHz TO-92 EBC
73 шт.
+

124.00 
11NM50 STD11NM50N N-Channel+d 550v 8.5a 70w 0.47ohm TO-252 (D-PAK)
6 шт.
+

65.00 
MJE3055T npn 60v 10a 75w 2MHz TO-220 BCE (ECB)
Комплементарная пара MJE2955T
8 шт.
+

270.00 
IRFB4410Z N-Channel+d 100v 97a 230w 0.072ohm TO-220
3 шт.
+

30.00 
КТ361В PNP 40V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
100 шт.
+

64.00 
MJE2955T pnp 60v 10a 75w 2MHz TO-220 BCE (ECB)
Комплементарная пара с NPN MJE3055T
Аналог КТ818А
10 шт.
+

324.00 
IRFP064N N-Channel+d 55v 110a 200w R=8mOhm TO-247 (TO-3)
4 шт.
+

53.00 
IRF7319TR (N-channel-d 30v 6.5a) + (P-Channel-d -30v 4.9a) SOP-8
9 шт.
+

25.00 
Комплементарная пара c PNP SS8550
74 шт.
+

25.00 
SS8550 (Y2) PNP 40v 1.5a 0.3w SOT-23
Комплементарная пара с NPN SS8050 (Y1)
92 шт.
+

83.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 55, Транзисторы Ток, A: 2.8, Транзисторы Мощность, W: 2.1, SOT-223 (TO-261)
IRFL024NTR N-Channel+d 55v 2.8a 2.1w 0.075ohm SOT-223
10 шт.
+

46.00 
КТ815В (BD137) NPN 60В 1.5А 25Вт 3Мгц TO-126 ECB
Нет в наличии

46.00 
BD138 (КТ814В) PNP 65В 1.5А 25Вт 3Мгц TO-126 ECB
3 шт.
+

46.00 
BD139 (КТ815Г) NPN 100В 1.5А 25Вт 3Мгц TO-126
199 шт.
+

52.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 3, Транзисторы Мощность, W: 10, 100MHz, TO-126
2SB772 PNP 40В 3А 10Вт 100Мгц TO-126 (SOT-32)
13 шт.
+

72.00 
ULN2004AN 7xNPN Darl 50V, 0.5A (DIP-16)
19 шт.
+

45.00 
ULN2004ADR 7xNPN Darl 50V, 0.5A (SO-16)
18 шт.
+

15.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 35, Транзисторы Ток, A: 0.05, Транзисторы Мощность, W: 0.15, 250MHz, КТ13
КТ361Г PNP 35V 0,1A 0,15W 250MHz КТ13 ECB
8 шт.
+

110.00 
2NPN+d+2r, Транзисторы Напряжение, V: 100/100, Транзисторы Ток, A: 12, Транзисторы Мощность, W: 80, TO-220, TO-220AB
BDW93C 2NPN+d+2r 100/100v 12a 80w TO-220 BCE
7 шт.
+

90.00 
N-Channel, Транзисторы Напряжение, V: 25, Транзисторы Ток, A: 0.02, Транзисторы Мощность, W: 0.2, кт-112
КП303А N-channel 25v 0,02a 0,2w KT-112
26 шт.
+

200.00 
N-Channel, Транзисторы Напряжение, V: 430, Транзисторы Ток, A: 200, Транзисторы Мощность, W: 30, TO-220F
RJP4301 IGBT N-Channel 430v 200a 30w TO-220F
5 шт.
+

46.00 
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 50, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 0.2, 250MHz, SOT-346
DTA144EKA (T146) PNP -50v -0,1a 0,2w 250MHz SOT-346 smd
PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
9 шт.
+

134.00 
P-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: -55, Транзисторы Ток, A: -19, Транзисторы Мощность, W: 68, TO-220, TO-220AB
IRF9Z34NPBF P-Channel+d -55v -19a 68w 0.10Ohm TO-220AB
6 шт.
+

88.00 
2(P-Channel+d), Транзисторы Напряжение, V: -30, Транзисторы Ток, A: 7.1, Транзисторы Мощность, W: 2, SO-8 (SOP-8)
4925B Si4925BDY 2(P-Channel+d) -30v 7,1a 2w 0,02Ohm SO-10
20 шт.
+

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • -55
  • 1700
Ток, A

 – 

  • -74
  • 210
Мощность, W

 – 

  • 0
  • 2000
Частота,MHz
Корпус