Корзина

Распродажа пультов, скидка на все модели 30% при заказе через сайт.

Категории:

Транзисторы

Сортировать по алфавиту: от Я до А
12 На страницу
МП25А PNP 40В 0.15А 0.2Вт 0.25Мгц КТЮ-3-6
20.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 40, Транзисторы Ток, A: 0.15, Транзисторы Мощность, W: 0.2, 0.25МГц, КТЮ-3-9
МП25А
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.623 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора МП25А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс
59 шт.
+ −
кт972а (BD875) NPN 60v 2a 8w 50MHz ТО-126 ECB
88.00 ₽
кт972а NPN 60v 2a 8w 50MHz ТО-126
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения.
Зарубежный прототип
• Прототип – BD875
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 45 до + 85°C
• Комплиментарная пара – КТ973
Нет в наличии
кт940а NPN 300v 0.1a 1.2w 90MHz TO-126
кт940а NPN 300v 0.1a 1.2w 90MHz TO-126
15.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 300, Транзисторы Ток, A: 0.1, Транзисторы Мощность, W: 1.2, 90MHz, TO-126
Транзистор кт940а npn 300v 0.1a 1.2w 90MHz to-126
103 шт.
+ −
кт930б npn 50v 10a 75w 400MHz TO-126
кт930б npn 50v 10a 75w 400MHz TO-126
585.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 50, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 75, 400MHz, TO-126
кт930б npn 50v 10a 75w 400MHz TO-126
2 шт.
+ −
кт898а 2npn+d+2r-st 350v 20/30a 125w 10MHz TO-218
кт898а 2npn+d+2r-st 350v 20/30a 125w 10MHz TO-218
111.00 ₽
2npn+d+2r-st, Транзисторы Напряжение, V: 350, Транзисторы Ток, A: 20, Транзисторы Мощность, W: 125, 10MHz, TO-218
Транзистор кт898а

аналог BU931ZP

2npn+d+2r-st 350v 20/30a 125w 10MHz TO-218
6 шт.
+ −
кт845а NPN 400v 5a 40w 5MHz КТ-9 (ТО-3)
150.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 400, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 40, 5MHz, TO-3PML, TO-3P, TO-3, TO-247
Основные технические характеристики транзистора КТ845А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4,5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0.01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 45 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 4000 нс
8 шт.
+ −
КТ825Г PNP 90В 20А 125Вт 4Мгц TO-3
КТ825Г PNP 90В 20А 125Вт 4Мгц TO-3
450.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 90, Транзисторы Ток, A: 20, Транзисторы Мощность, W: 125, 4MHz, TO-3
КТ825Г PNP 90В 20А 125Вт 4Мгц TO-3
(10шт-место в общей коробке)
14 шт.
+ −
кт8231а2 NPN 350/500v 15a 65w TO-247
кт8231а2 NPN 350/500v 15a 65w TO-247
170.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 350, Транзисторы Ток, A: 15, Транзисторы Мощность, W: 65, TO-247, TO-3PML, TO-3P
кт8231а2 NPN 350/500v 15a 65w TO-247
1 шт.
+ −
КТ819Г NPN 100В 10А 60Вт 3Мгц TO-220
125.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 100, Транзисторы Ток, A: 10, Транзисторы Мощность, W: 60, 3MHz, TO-220ML, TO-220AB, TO-220
КТ819Г NPN 100В 10А 60Вт 3Мгц TO-220
9 шт.
+ −
КТ818ГМ PNP 90В 15А 100Вт 3Мгц TO-3
КТ818ГМ PNP 90В 15А 100Вт 3Мгц TO-3
86.00 ₽
pnp, Транзисторы Напряжение, V: 90, Транзисторы Ток, A: 15, Транзисторы Мощность, W: 100, 3MHz, TO-3
КТ818ГМ PNP 90В 15А 100Вт 3Мгц TO-3
10 шт.
+ −
кт8102б PNP 120v 16a 150w 10MHz кт-43
кт8102б PNP 120v 16a 150w 10MHz кт-43
91.00 ₽
Транзистор кт8102б pnp 120v 16a 150w 10MHz кт-43
1 шт.
+ −
кт8101а NPN 200v 16a 150w 10MHz КТ-43
кт8101а NPN 200v 16a 150w 10MHz КТ-43
364.00 ₽
npn, Транзисторы Напряжение, V: 200, Транзисторы Ток, A: 16, Транзисторы Мощность, W: 150, 10MHz, КТ-43
Транзистор кт8101а npn 200v 16a 150w 10MHz кт-43
2 шт.
+ −
 Назад
1 2 3 4 5 6 7 8
Вперед  2 - 16

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • -55
  • 1700
Ток, A

 – 

  • -74
  • 210
Мощность, W

 – 

  • 0
  • 2000
Частота,MHz
Корпус