Транзисторы

600.00 
2SA2151A pnp -230v 15a 160w 20MHz TO-3P BCE
3 шт.
+

600.00 
2SC6011A npn 230v 15a 160w 20MHz TO-3P BCE
3 шт.
+

185.00 
17NF25 STD17NF25 N-Channel+d 250v 17a 90w 0.14ohm TO-252 (D-PAK)
8 шт.
+

30.00 
AO3407 P-Channel+d 30V 4.1A 1.4W SOT-23
16 шт.
+

55.00 
IRFR3709Z N-Channel+d 30v 86a 79w TO-252AA (D-Pak)
6 шт.
+

140.00 
2SK3568 N-Channel+d-st 500v 12a 40w TO-220F
5 шт.
+

70.00 
AO4423 P-Channel+d-st -30V -17A 2W SOIC-8 (SO-8)
5 шт.
+

75.00 
AO4429 P-Channel+d-st -30V -15A 3.1W SOIC-8 (SO-8)
5 шт.
+

35.00 
2SC2383 npn 160v 1a 0.9w 100MHz TO-92mod ECB (BCE)
Complementary to 2SA1013
10 шт.
+

25.00 
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала. Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в
аппаратуре средств связи, телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре,
изготавливаемой для народного хозяйства
Зарубежный прототип
• прототип ZVN2120
Нет в наличии

35.00 
BCP53-16, SOT-223, Биполярный транзистор PNP 80В 1A
20 шт.
+

134.00 
npn, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 5, Транзисторы Мощность, W: 20, 20MHz, TO-220AB, TO-220, TO-220ML
КТ805АМ NPN 60v 5a 20w 20MHz TO-220 ECB
6 шт.
+

53.00 
N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 60, Транзисторы Ток, A: 50, TO-252 (D-Pak)
50N06 N-Channel+d 60V 50A TO-252 DPAK
15 шт.
+

176.00 
IRF3205S N-Channel+d 55v 110a 170w TO-263 (D-PAK)
3 шт.
+

132.00 
60NF06 STP60NF06FP N-Channel+d 60v 50a 110w TO-220F
4 шт.
+

240.00 
TIP147  2PNP+d+2r 100v 10a 90w TO-247
5 шт.
+

30.00 
КП302А1 N-channel 200v 2a 0.5w TO-92
10 шт.
+

46.00 
BD140 (КТ814Г) PNP 80В 1.5А 12.5Вт 3Мгц TO-126 ECB
198 шт.
+

123.00 
BDW94C 2PNP+d+2r 100/100v 12a 80w TO-220 BCE
Комплементарная пара с BDW93C
4 шт.
+

45.00 
КТ3107Г
PNP 25В/0.1А/0.3Вт f<250МГц, Кус.=120-220
28 шт.
+

45.00 
PNP 50В 0,1А 0,3Вт 200 МГц Кус=180-460
30 шт.
+

882.00 
IGBT N-Channel+d, Транзисторы Напряжение, V: 1600, Транзисторы Ток, A: 30, Транзисторы Мощность, W: 263, TO-247
30N160 IHW30N160R5 (H30SR5) IGBT N-Channel+d 1600V 30A 263W (TO-247-3)
1 шт.
+

242.00 
N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220FP,
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
5 шт.
+

120.00 
4NK80 STP4NK80ZFP N-Channel+d 800V 3A 25W TO-220F
10 шт.
+

183.00 
2N3773 npn 140v 16a 150w TO-204
4 шт.
+

700.00 
Сборка из полевых транзисторов, 4xN-канал, 50В 3А 4Вт
1 шт.
+

200.00 
2SC2625 npn 450V 10А 80Вт (TO-3P) BCE
4 шт.
+

200.00 
ISL9V3040S3S IGBT N-Channel-2st 430V 17A 150W (TO-263, D2-PAK)
10 шт.
+

27.00 
FS8205A TSSOP-8
18 шт.
+

60.00 
ULN2803AG 8xNPN Darl 50V, 0.5A (SO-18)
10 шт.
+

25.00 
2SA1020 pnp 50v 2a 0.9w 100MHz TO-92MOD ECB (BCE)
25 шт.
+

153.00 
AP4525GEH (n,p-ch+d-st) 40/-40v 8.3/-7a TO-252-4L
5 шт.
+

Фильтр товаров

Структура
Напряжение, V

 – 

  • -55
  • 1700
Ток, A

 – 

  • -74
  • 210
Мощность, W

 – 

  • 0
  • 2000
Частота,MHz
Корпус